Tá céim mhór glactha ag an tSín sa tionscal cuimhneacháin IC. Tá triúr de chuideachtaí móra na Síne ag ullmhú chun triail DRAM agus NAND a thriail sa dara leath de 2018. Tá YMTC, Innotron (Hefei Chang Xin) agus JHICC sceidealta le táirgeadh trialach NAND Flash, DRAM soghluaiste agus speisialtacht DRAM a thosú, faoi seach, sa dara leath de 2018, de réir DRAMeXchange , rannán de TrendForce . Leanfaidh olltáirgeadh sa chéad leath de 2019, ag marcáil an chéad táirgeadh sliseanna intíre ón tSín.
Suiteáladh trealamh ag fab Innotron sa tríú ráithe (R3) de 2017, de réir DRAMeXchange, ach chuir an chuideachta táirgeadh trialach siar go dtí R3 2018, agus ina dhiaidh sin olltáirgeadh sa chéad leath (1H) de 2019.
Chuir JHICC, a dhírigh ar speisialtacht DRAM, a tháirgeadh trialach ar athló go dtí an R3 2018 agus an olltáirgeadh go dtí 1H 2019. D'fhógair an chuideachta a phlean i mí Iúil 2016 chun $ 5.3 billiún a infheistiú i bhfablann nua 12 orlach i Jinjiang, Fujian Province.
Tá Innotron agus JHICC araon taobh thiar dá sceidil a fógraíodh, thuairisc DRAMeXchange.
D'fhéadfadh dúshláin eile a bheith roimh Innotron. Ní dóigh le lucht féachana tionscail go mbeidh lucht cuimhne Cuimhne na Síne in ann ardteicneolaíocht a fhorbairt gan paitinní a shárú nó comhpháirtíocht comhfhiontair a bhunú.
“Is cosúil gur mian le Innotron dul san iomaíocht le barr na soláthróirí DRAM trí sceallóga LPDDR4 8Gb a roghnú mar a chéad táirge, ach tá seans mór ann go mbeidh saincheisteanna sáraithe paitinne ag Innotron,” a dúirt DRAMeXchange. “Chun argóintí a sheachaint, beidh ar Innotron IPanna a fhabhrú atá aitheanta ag na dlíthe idirnáisiúnta. Cur chuige níos sábháilte eile ná táirgí a dhíol ach amháin sa mhargadh baile ag an tús. ”
Cuirfidh leibhéil chaiteachais capex Samsung stop le “ aon dóchas go mbeadh ar chuideachtaí na Síne a bheith ina n-imreoirí suntasacha sna margaí flash NAND 3D nó DRAM ,” agus “díreach faoi ráthaíocht go bhfuil gan comhfhiontar éigin acu le suipéar cuimhne atá ann cheana is beag seans atá ag tosaitheoirí cuimhne na Síne nua dul san iomaíocht ar an leibhéal céanna le príomhsholáthraithe an lae inniu, ”a dúirt Bill McLean, uachtarán IC Insights, anuraidh.
“Fiú má bhí siad chun ardteicneolaíocht a fhorbairt astu féin, is cinnte go dtiocfadh na soláthróirí nua Síneacha isteach ar a lán paitinní DRAM agus NAND a bhí ag Samsung, SK Hynix, Micron, etc.,” a dúirt sé.
Sa deighleog flash NAND, tá sé beartaithe ag YMTC trí phlanda déantúsaíochta flash 3D-NAND a thógáil go seicheamhach i dtrí chéim. Críochnaíodh an chéad chéim i mí Mheán Fómhair 2017 le sceidealú trealaimh sceidealta sa tríú ráithe de 2018, agus ina dhiaidh sin táirgeadh trialach sa cheathrú ráithe, dúirt DRAMeXchange. Déanfaidh an gléasra Flash 32-ciseal MLC 3D-NAND. Níltear ag súil go dtosóidh osclaí slise níos mó ná 10,000 in aghaidh na míosa.
“Leanfar ar aghaidh le tógáil na ngléasraí dara agus tríú céim agus a bpleananna táirgthe de réir na staide tar éis don YMTC a dhearadh 64 ciseal a fheabhsú,” a dúirt DRAMeXchange.
